2010年08月23日

工学:GaAa 半導体膜の新しい製造法

ガリウムヒ素のような化合物半導体は、光発電や光エレクトロニクスへの応用でシリコンを相当に上回る性能を示します。

しかし、太陽電池、暗視力カメラ、ワイヤレス通信システムなどのデバイスに化合物半導体を使用するには、高品質大面積層を成長させてそれらをフレキシブル基板や透明基板に転写するという費用のかかる工程が必要であり、その性能はこのような欠点を補って余りあるものではありません。

今回、 J Rogers たちは、こういう欠点を解消する新しい製造方法を実証しています。

この方法では、1 回の蒸着工程で GaAs 膜と AlGaAs 膜を成長させて厚い多層集合体を製作した後、個々の層をはがして別の基板に転写します。

ガラス上の電界効果トランジスターや、プラスチックシート上の光起電モジュールなどの GaAs デバイスが作成されており、実例によってこの方法を大面積に応用する技術的可能性がはっきり示されています。


### database ###
nature 465,261-390 20 May 2010 Issue no.7296
Letter p.329 / GaAs photovoltaics and optoelectronics using releasable multilayer epitaxial assemblies / J Yoon et al.(イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校)


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posted by 0≠素子 at 23:02| Comment(0) | TrackBack(0) | nature - lssue | このブログの読者になる | 更新情報をチェックする
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